Memorie flash ultra-durevoli, la nuova corsa all’oro dei dischi SSD

22 Luglio 2008 · Archiviato in Hardware & Periferiche, Notizie 

NotizieMemorie flash del prossimo futuro, ovverosia quelle che molti identificano come il Santo Graal dell’immagazzinamento delle informazioni digitali di qui a pochi anni. Una tecnologia che vorrebbe spazzare via i “vecchi” dischi fissi a induzione magnetica sostituendoli con drive ripieni di chip riprogrammabili, più veloci e meno dispendiosi di energia. Una soluzione che, per quanto in circolazione da qualche anno, deve ancora scontrarsi con pesanti limitazioni. Limitazioni che ora si annuncia saranno ben presto superate grazie all’adozione di soluzioni avveniristiche.

I fronti per l’evoluzione delle tecnologie che fanno uso di chip flash sono molteplici, soprattutto in virtù della volontà di alcuni produttori di soluzioni di storage di spingere sull’acceleratore e traghettare dispositivi quali i Solid-State Drive, dischi fissi basati interamente su chip di memoria piuttosto che sui piatti magnetici tradizionali, dalla sponda del lusso a quella della dotazione base di ogni player multimediale, ogni laptop, ogni PC desktop di qui a breve.

Produttori come la coreana Samsung, società impegnata come poche nel settore delle memorie e intenzionata a scalfire l’attuale leadership della americana Seagate nella commercializzazione di dischi fissi. Ma andiamo con ordine e partiamo dal Giappone, da dove arriva la notizia secondo cui i ricercatori del National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), in partnership con l’Università di Tokio, hanno messo a punto memorie NAND flash più resistenti, più duttili e meno avide di energia elettrica per poter funzionare a dovere.

Usando transistor basati su quello che viene definito “ferroelectric gate field-effect”, o FeFETs, dai laboratori del Sol Levante annunciano di essere riusciti a dare vita alla prossima generazione di memorie flash, in grado di sostenere un carico di operazioni programmazione-cancellazione di 100 milioni di volte. Un passo avanti enorme, se si considera che gli attuali chip di memoria supportano un massimo di 10.000 cicli di scrittura-cancellazione per poi smettere inesorabilmente di funzionare.

E’ sempre stato questo il maggiore limite delle memorie NAND flash e di conseguenza dei dischi SSD, la cui durata di vita teorica è solo di pochi anni. Una condizione che nella pratica è persino peggiore se si considera che ad esempio, in un qualsiasi personal computer, talune porzioni del disco fisso vengono sollecitate e riscritte un numero molto superiore di volte rispetto al resto del drive accorciandone drammaticamente il periodo di funzionamento.

Fe-NAND flash memory

Fosse anche solo questo il pregio dei chip FeFETs ci sarebbe quasi da gridare al miracolo, perché qualora la tecnologia venisse adottata in prodotti commerciali significherebbe avere a disposizione drive che durano un minimo di 100 anni. Ma c’è di più: le celle di memoria made-in-Japan necessitano di una tensione di appena 6 volt per funzionare contro i 20 necessari ai chip attuali, e soffrono meno gli effetti collaterali della miniaturizzazione nanoscopica riuscendo a rimanere funzionali anche se costruite entro i 10-20 nanometri contro il limite dei 30 nanometri delle NAND flash correnti.

Più resistenti, più eco-compatibili, alla base di drive di memorizzazione più capienti: la press release dell’AIST afferma senza mezzi termini che “le nuove celle di memoria appena sviluppate saranno prevedibilmente usate come un’alternativa agli hard disk convenzionali“. L’unica cosa che AIST naturalmente non dice è quali saranno i tempi necessari per vedere simili meraviglie tecnologiche alla portata di tutti.

Meno pretenziosa ma più vicina alla commercializzazione appare invece la tecnologia svelata da Samsung, una memoria NAND flash di tipo single-level-cell (SLC) cinque volte più resistente e duratura delle attuali memorie SLC. Lavorando assieme a Sun, il colosso dell’elettronica ha sviluppato una soluzione espressamente dedicata al settore enterprise, dove le attuali tecnologie SLC riescono a sopravvivere sino a 50.000-100.000 operazioni di scrittura-cancellazione.

Spingendo il piede sull’acceleratore citato all’inizio, Samsung sostiene che le sue nuove memorie risulteranno ideali per quei server pensati per operare 24 ore al giorno, 7 giorni su 7 senza mai fermarsi o fallire. Una tecnologia forse non particolarmente interessante da un punto di vista consumer, ma che ben evidenzia l’intenzione degli attori in gioco di fare uscire di scena quanto prima è possibile le soluzioni di memorizzazione magnetica dei dati.

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Commenti

2 Risposte a “Memorie flash ultra-durevoli, la nuova corsa all’oro dei dischi SSD”

  1. Mandrake il 22 Luglio 2008 11:21

    e i prezzi di vendita? @_@
    facendo un confronto del rapporto prezzo/capienza tra le attuali pen-drive e gli hard disk, non voglio immaginare quanto costeranno i futuri “metodi d’archiviazione” se davvero dovessero sostituire i cari “vecchi” dischi magnetici.


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  2. Sir Arthur, King of Ghouls'n Ghosts il 22 Luglio 2008 11:25

    Beh, non li hanno ancora sostituiti proprio perché, a parte le limitazioni tecnologiche e il fatto che, a parte il “seek time” dei dati, il transfer rate non pare questa meraviglia rispetto a un disco magnetico su porta S-ATA, costano un botto :-P

    Però c’è da dire che anche Seagate, che detiene oltre il 30% del settore hard disk magnetici, ha deciso di investire negli SSD. Quindi le cose si muovono, magari lentamente ma si muovono. Personalmente non adotterò un disco basato su NAND Flash per anni e anni e anni ancora :-D


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